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NOIH2SM1000A
Table 27. ELECTRO ? OPTICAL MEASUREMENTS ON THE OPTICAL BENCH
No.
1
Characteristic Symbol
Linear range of pixel signal swing
Min
40
Typ
50
Max
NA
Unit
ke-
Remarks
Measured within ± 1%
0.75
V
2
3
Linear range
Full well charge
60
90
82
100
NA
NA
ke-
ke-
Measured within ± 5%
Measured
VDD_RES = 3.3 V
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Quantum efficiency x Fillfactor
Spectral Response
Charge to voltage conversion factor
Charge to voltage conversion factor
MTF X direction
MTF Y direction
Pixel to pixel crosstalk X direction
Pixel to pixel crosstalk Y direction
Anti-blooming capability
NA
NA
NA
13
NA
NA
NA
NA
NA
45
33.3
16.9
14.8
0.35
0.35
9.8
9.8
1000
NA
-
-
15.6
NA
NA
NA
NA
NA
%
%
m V/e-
m V/e-
-
-
%
%
Ke-
Measured between 500 nm and
650 nm. See Specification Figures
on page 25 for complete curve
Measured average over
400 nm – 900 nm.
at pixel
Measured at output SIGNAL_OUT,
unity gain
at Nyquist measured
at Nyquist measured
of total source signal – see Spe-
cification Figures on page 25 for
2 ? D plot
of total source signal – see Spe-
cification Figures on page 25 for
2 ? D plot
predicted value
Table 28. TYPICAL POWER SUPPLY SETTINGS AND
SENSOR SETTINGS
Power Supply Settings
ADC_VLOW
ADC_VHIGH
V_ADC_DIGITAL
V_ADC_ANALOG
VDDD
VDDA
VRES
VPIX
Read Out Modes
Integration Time
Gain Setting
Offset Setting
X Clock Period
0.85 V
2.0 V
3.3 V
3.3 V
3.3 V
3.3 V
3.3 V for SR / 4.2 V for HR
3.3 V (for HTS switched to 0.75 V)
Sensor Settings
Destructive – Nondestructive
195 m s
Unity
0
100 ns
http://onsemi.com
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